半导体器件开关特性和开关电路（复习）
半导体二极管的开关特性和开关电路
“与”逻辑功能的二极管电路
晶体三极管的开关特性和开关电路
MOSFET管的开关特性和开关电路
如何理解这里的Rd？忘光了
一、电压传输特性
- TTL：Transistor-Transistor-Logic
- CMOS：Compensate-MOS（互补型MOS电路）
- CMOS是用NMOS和PMOS组成的互补型的MOS电路。它在集成度、功耗、输出高低电平等方面，都比TTL优越，是目前集成电路的主流产品。
二、输入和输出逻辑电平
三、开关电平 和关门电平
Q:在这两个值中间是什么状态？
输入电压处于这两个区域之间的"不确定区"或"禁区"(forbidden zone)时，输出电压不稳定，无法预测
四、输入信号噪声容限
在TTL驱动TTL集成门电路的情况下，讨论的是串联的两级门电路之间的噪声电压情况，分为：
- 低电平噪声容限
- 高电平噪声容限
灌电流和拉电流负载
需要结合TTL内部的结构才能理解灌电流和拉电流的事情
在TTL门电路中有一对推挽输出的三极管（T4和T5）。当输出为低电平时，称为灌电流工作状态：
- 负载电流会流入（灌入）驱动门
- 如果连接的负载门数量增加，灌电流也会增加，这会导致输出低电平VOL升高，使T5从饱和区转向放大区，可能会破坏正常的逻辑关系
而当输出为高电平时，就是拉电流工作状态。TTL门电路的推挽输出结构（T4、T5）保证了在输出高低电平时一个三极管导通而另一个截止。
这两种工作状态都有其限制，为了确保TTL门电路正常工作，需要控制所能驱动的负载门数量，这个数量限制称为扇出系数。一般以NOL（低电平扇出系数）为准，因为这个值通常较小。
低电平输出特性——灌电流负载
- 驱动门输出低电平，负载电流灌入驱动门
- 如果负载门数量增加，灌电流增加，促使输出低电平 升高， 由饱和区趋向放大区，破坏逻辑关系
- 有一个低电平上限值 ，由此可以规定使用时驱动门数（称作扇出系数）：
高电平输出特性——拉电流负载
- 扇出数以 为准（通常而言这个值更小）
结合这个图算算前面的几个值
Nol=-0.4/0.02
Noh=8/0.4
六、平均传输延时时间
实际上就是讨论的TTL推挽输出的一对开关管的开关速度
