NPN 三极管

• 截止区 (Cut-off Region)
• 条件：VBE < Vth（开启电压，硅约为0.7V，锗约为0.3V），或IB ≈ 0。
• 特点：IC ≈ 0，VCE接近电源电压。

• 放大区 (Active Region)
• 条件：VBE > Vth，并且 VCE > VBE。
• 特点：IC = β * IB，其中β是电流增益，集电极电流与基极电流成正比。

• 饱和区 (Saturation Region)
• 条件：VBE > Vth，并且 VCE ≤ VBE。
• 特点：即使IB增加，IC也不会显著增加，VCE很低，通常只有几伏甚至更少。

PNP 三极管

• 截止区 (Cut-off Region)
• 条件：VBE > -Vth（即发射极相对于基极为负电压，绝对值大于开启电压），或IB ≈ 0。
• 特点：IC ≈ 0，VCE接近于-Vsupply（假设发射极接地）。

• 放大区 (Active Region)
• 条件：VBE < -Vth，并且 VCE < VBE。
• 特点：IE = α * IC + IB，其中α是共射极电流增益（对于小信号情况，可以近似为1/β）。在这个区域内，发射极电流IE与基极电流IB成正比。

• 饱和区 (Saturation Region)
• 条件：VBE < -Vth，并且 VCE ≥ VBE。
• 特点：即使IB增加，IC也不会显著增加，VCE很高（接近-Vsupply）。

总结

• NPN 三极管中，当基极相对发射极为正电压时，三极管开始导通；而在 PNP 三极管中，当基极相对发射极为负电压时，三极管才开始导通。

• 在 NPN 中，电流从集电极流向发射极；而在 PNP 中，电流从发射极流向集电极。

• 对于 NPN 三极管，要进入放大区，需要确保 VCE > VBE；而对于 PNP 三极管，则需要 VCE < VBE。

• 饱和区的情况也类似地反转了：NPN 三极管的 VCE 很低，而 PNP 三极管的 VCE 很高。